央广网上海11月11日消息(记者潘毅)据中国之声《央广新闻》报道,中国科学家在最新一期美国《科学》杂志上发表报告称,已开发出一种新型相变材料,有望将电子产品的存储速度提高70倍左右。
中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队取得的这一成果,利用合金材料制造出相变存储器单元,这一新材料的写入速度可达700皮秒。相变存储器是一种非易失存储器,可通过脉冲电流让存储材料在晶体和非晶体间转换,以实现读、写、擦操作。由于改变的是材料的物理状态,断电后信息不会消失,有效解决了市场常用的动态随机存储器因断电导致数据丢失的缺点。
宋志棠对媒体表示,团队下一步准备将这种材料用于自主开发的64兆、128兆存储芯片上,验证其大容量、高速应用的可行性,这有望大幅提高缓存速度,为中国自主开发先进存储器铺平道路。